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瑪居禮晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,VM572T晶振,OSC壓控溫補(bǔ)貼片晶振
頻率：1.25~156MH...
尺寸：7.0*5.0mm壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器系列,VC-TCXO產(chǎn)品內(nèi)部晶片焊接模式采用了,高精密點(diǎn)膠技術(shù):晶片膠點(diǎn)的位置,大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過(guò)圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用,使晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi).
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瑪居禮晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,VM53T晶振,通訊產(chǎn)品壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器
頻率：8.192~38.4...
尺寸：3.2*2.5mm有源貼片晶振是指在普通無(wú)源晶體上增加了電壓,內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻,需要在凈化萬(wàn)級(jí)車(chē)間生產(chǎn),并且在密封機(jī)器設(shè)備中焊接加蓋,內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型,超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
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瑪居禮晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,VM32T晶振,低衰減金屬面貼片溫補(bǔ)晶振
頻率：8.192~38.4...
尺寸：3.2*2.5mm壓控溫補(bǔ)晶體系列,VC-TCXO晶振產(chǎn)品內(nèi)部晶片焊接模式采用了,高精密點(diǎn)膠技術(shù):晶片膠點(diǎn)的位置,大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過(guò)圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用,使晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi).
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瑪居禮晶振,溫補(bǔ)晶振,M572T晶振,輕薄型溫補(bǔ)晶振
頻率：1.25~156MH...
尺寸：7.0*5.0mm石英晶體振蕩器在設(shè)計(jì)時(shí)就與各款型號(hào)IC匹配等相關(guān)技術(shù),使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等有它的特殊性,必須考慮振蕩器的供應(yīng)電壓,起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間,下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù).
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瑪居禮晶振,溫補(bǔ)晶振,M53T晶振,低功耗金屬面封裝溫補(bǔ)晶振
頻率：6.4~38.4MH...
尺寸：3.0*2.5mm有源貼片晶振是指在普通無(wú)源晶體上增加了電壓,內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻,需要在凈化萬(wàn)級(jí)車(chē)間生產(chǎn),并且在密封機(jī)器設(shè)備中焊接加蓋,內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型,超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
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瑪居禮晶振,溫補(bǔ)晶振,M32晶振,金屬面四腳溫補(bǔ)晶體振蕩器
頻率：8.192~38.4...
尺寸：3.0*2.5mm溫補(bǔ)晶體系列,TCXO振蕩器產(chǎn)品內(nèi)部晶片焊接模式采用了,高精密點(diǎn)膠技術(shù):晶片膠點(diǎn)的位置,大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過(guò)圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用,使晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi).
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瑪居禮晶振,溫補(bǔ)晶振,ME32T晶振,陶瓷面溫補(bǔ)振蕩器
頻率：32.768KHZ
尺寸：3.0*2.5mm小尺寸的TCXO溫補(bǔ)晶振內(nèi)部晶片焊接模式采用了,高精密點(diǎn)膠技術(shù),晶片膠點(diǎn)的位置,大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過(guò)圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用,使晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi),確保TCXO晶體產(chǎn)品精度,穩(wěn)定性能良好發(fā)揮功能.
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瑪居禮晶振,壓控晶振,GCJF538晶振,小型移動(dòng)通信基站振蕩器
頻率：15~2100MHZ
尺寸：5.0*3.2mm貼片石英晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要
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瑪居禮晶振,壓控晶振,GCJF578晶振,低耗能7050貼片晶振
頻率：15~700MHZ
尺寸：7.0*5.0mm7050mm體積的網(wǎng)絡(luò)通信晶振有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）,為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
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瑪居禮晶振,壓控晶振,GQJF578晶振,網(wǎng)絡(luò)通信低差損有源晶振
頻率：15~2100MHZ
尺寸：7.0*5.0mm有源石英晶振,無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±５ppm;２.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;３.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
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瑪居禮晶振,壓控晶振,GDJF578晶振,進(jìn)口低電源電壓晶振
頻率：15~2100MHZ
尺寸：7.0*5.0mm貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
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瑪居禮晶振,壓控晶振,GPJF578晶振,7050低功耗壓控晶體振蕩器
頻率：10~1.45GMH...
尺寸：7.0*5.0mm小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
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瑪居禮晶振,壓控晶振,GDQN576晶振,7050體積低損耗壓控晶振
頻率：10~1.45GMH...
尺寸：7.0*5.0mm壓控晶振系列,VCXO產(chǎn)品內(nèi)部晶片焊接模式采用了,高精密點(diǎn)膠技術(shù):晶片膠點(diǎn)的位置,大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過(guò)圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用,使晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi).
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瑪居禮晶振,壓控晶振,GDQN536晶振,低差損5032振蕩器
頻率：10~1.45GMH...
尺寸：5.0*3.2mm5032進(jìn)口晶振的體積石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）,為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
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瑪居禮晶振,壓控晶振,GDQN326晶振,3225mm低功耗壓控晶振
頻率：10~1.45GMH...
尺寸：3.2*2.5mmOSC晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要..
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瑪居禮晶振,壓控晶振,GDQF576晶振,進(jìn)口低電源電壓晶體振蕩器
頻率：10~1.45GMH...
尺寸：7.0*5.0mm7050有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）,為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
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瑪居禮晶振,壓控晶振,GDQF536晶振,臺(tái)產(chǎn)低損耗壓控晶體振蕩器
頻率：10~1.45GMH...
尺寸：5.0*3.2mm貼片有源石英晶振是指在普通無(wú)源晶體上增加了電壓,內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻,需要在凈化萬(wàn)級(jí)車(chē)間生產(chǎn),并且在密封機(jī)器設(shè)備中焊接加蓋,內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型,超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
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瑪居禮晶振,壓控晶振,GDQF326晶振,低耗能壓控晶振
頻率：10~1.45GMH...
尺寸：3.2*2.5mmVCXO是指這款晶體產(chǎn)品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能,產(chǎn)品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來(lái)自動(dòng)調(diào)整頻率,使產(chǎn)品永遠(yuǎn)控制在一定的頻率范圍,壓控晶振（VCXO）壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用, VCXO,壓控晶體應(yīng)用:調(diào)制解調(diào)器,ADSL網(wǎng)絡(luò)控制器,無(wú)線基站,程控交換設(shè)備智能手機(jī),筆記本晶振等
符合RoHS/無(wú)鉛.
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瑪居禮晶振,壓控晶振,GDJF538晶振,低抖動(dòng)小體積壓控晶振
頻率：15~2100MHZ
尺寸：5.0*3.2mm有源石英晶振,無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±５ppm;２.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;３.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
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瑪居禮晶振,壓控晶振,GCJF538晶振,5032mm壓控晶振
頻率：15~2100MHZ
尺寸：5.0*3.2mm小體積有源石英晶體振蕩器,在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車(chē)間,在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良,封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型,超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
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有源晶體
村田諧振器
村田石英晶振
應(yīng)用領(lǐng)域
美國(guó)晶振 / AmericaCrystal
英國(guó)晶振 / EnglandCrystal
德國(guó)晶振 / GermanyCrystal
俄國(guó)晶振 / RussiaCrystal
瑞士晶振 / SwitzerlandCrystal
新西蘭晶振 / NZCrystal
韓國(guó)晶振 / KoreaCrystal
丹麥晶振 / DenmarkCrystal
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